Toshiba fertigt 32-Gigabit-NAND-Flashes mit 32-Nanometer-Strukturen
Nach eigenen Angaben fertigt Toshiba als erster Hersteller NAND-Flash-Speicherchips mit 32-nm-Strukturen.
(Bild:Â Toshiba)
Als nach eigenen Angaben erster Hersteller produziert die japanische Firma Toshiba [1] NAND-Flash-Speicher [2]chips mit 32 Gigabit (4 GByte) KapazitĂ€t mit einem 32-Nanometer-Fertigungsprozess. Muster sind sofort verfĂŒgbar, die GroĂserienfertigung soll in den nĂ€chsten Monaten anlaufen. Ab Juli sollen auch Muster der zurzeit am hĂ€ufigsten verkauften 16-GBit-Chips aus der 32-nm-Fertigung zu haben sein. Die 32-nm-Chips sollen zunĂ€chst in Speicherkarten und USB-Sticks zum Einsatz kommen und spĂ€ter auch in Versionen fĂŒr Embedded Systems erscheinen.
Zurzeit fertigt Toshiba NAND-Flashes mit 43-nm-Strukturen und maximal 16 GBit KapazitÀt. Dabei handelt es sich um einen Multi-Level-Cell-(MLC-)Baustein mit 2 Bits/Zelle. Ob es sich bei den 32-GBit/32-nm-Chips bereits um die gemeinsam mit SanDisk entwickelten [3] 3-Bit-MLC-Flashes handelt, erlÀutert Toshiba nicht genau. Diese 32-nm-Chips sollen jedenfalls mit 113 Quadratmillimetern SiliziumflÀche noch kleiner sein als die 43-nm-Chips mit 16 GBit KapazitÀt.
Die Flash-Kooperationspartner Intel und Micron fertigen bereits [4] ein 32-GBit-NAND-Flash mit 34-nm-Strukturen und 172 Quadratmillimetern Die [5]-FlĂ€che. NAND-Flash-MarktfĂŒhrer Samsung hatte 2007 angekĂŒndigt [6], in diesem Jahr die Fertigung von 64-GBit-Chips mit 30-nm-Strukturen aufnehmen zu wollen. (ciw [7])
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[1] http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/memory/selection/nand/index.html
[2] http://www.heise.de/glossar/entry/Flash-Speicher-397321.html
[3] https://www.heise.de/news/ISSCC-SanDisk-baut-NAND-Flash-Chips-mit-3-Bit-Zellen-176809.html
[4] https://www.heise.de/news/IM-Flash-32-GBit-Speicherchip-mit-34-nm-Strukturen-211055.html
[5] http://www.heise.de/glossar/entry/Die-398061.html
[6] https://www.heise.de/news/Samsung-NAND-Flash-Chips-mit-64-Gigabit-Kapazitaet-ab-2009-188048.html
[7] mailto:ciw@ct.de
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