Samsung produziert 1-GBit-SDRAMs mit 90-nm-Strukturen in Großserie
Der südkoreanische Speicherchip-Weltmarktführer will die Stückzahlen dieser Bauteile bis zum Jahresende auf monatlich 1 Million Chips hochfahren.
Mit der Massenproduktion von 1-GBit-SDRAM [1]-Chips mit DDR [2]- oder DDR2 [3]-Schnittstelle im 90-Nanometer-Prozess ist Samsung [4] seinen Konkurrenten einen Schritt [5] voraus. Der südkoreanische Speicherchip-Weltmarktführer will die Stückzahlen dieser Bauteile bis zum Jahresende auf monatlich 1 Million Chips hochfahren; nach Prognosen von Gartner/Dataquest soll das internationale Absatzvolumen dieser Bausteine von 1,3 Milliarden US-Dollar in diesem Jahr bis auf 17 Milliarden US-Dollar im Jahr 2008 wachsen.
Dank eines "Kombo"-Designs soll sich laut Samsung die Art der Schnittstelle (DDR/DDR2) je nach aktueller Marktsituation im Produktionsprozess schnell wechseln lassen. Samsung will Chip [6]-Versionen mit 4, 8 oder 16 Datenleitungen (x4/x8/x16) herstellen und daraus auch Speichermodule fertigen.
Zunächst dürften die noch immer vergleichsweise teuren Speicherchips vor allem in Servern zum Einsatz kommen. Für Notebooks und Desktop-Rechner sind vor allem ungepufferte [7] 2-GByte-DIMMs [8] interessant, mit denen sich auch Mainboards mit nur vier Steckplätzen auf mehr als 4 GByte hochrüsten lassen [9]. (ciw [10])
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[1] http://www.heise.de/glossar/entry/Synchronous-Dynamic-RAM-398557.html
[2] http://www.heise.de/glossar/entry/Double-Data-Rate-395516.html
[3] http://www.heise.de/glossar/entry/DDR2-Speicher-395664.html
[4] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/index.htm
[5] https://www.heise.de/news/DRAM-und-Flash-Speicherchips-mit-90-und-70-Nanometer-Strukturen-107101.html
[6] http://www.heise.de/glossar/entry/Chip-395885.html
[7] http://www.heise.de/glossar/entry/Buffered-SIMM-DIMM-394929.html
[8] http://www.heise.de/glossar/entry/Dual-Inline-Memory-Module-395512.html
[9] https://www.heise.de/news/Speichermodule-mit-2-oder-4-GByte-Kapazitaet-157521.html
[10] mailto:ciw@ct.de
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