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Samsung fertigt erste DDR2-Speicherchips mit einem Prozess der "40-Nanometer-Klasse", der auch für DDR3- und später für DDR4-SDRAMs zum Einsatz kommen soll.

Nachdem Qimonda erste Fertigungsmuster von 46-Nanometer-SDRAM [1]s mit Buried-Wordline-Technik angekündigt [2] hat, stellt Samsung nun mit dem K4T1G084QF einen 1-Gigabit-Chip aus der "40-Nanometer-Class"-Produktion vor. Der angeblich besonders kompakte und sparsame Speicherchip, der in der Version K4T1G084QF-HCE7 als DDR2-800-SDRAM mit den Latenzparametern 5-5-5 arbeitet, wurde von Intel bereits zertifiziert [3] (PDF-Datei). Laut Samsung hat Intel auch ein aus den neuen Chips aufgebautes PC2-6400-SO-DIMM für Notebooks zertifiziert, es ist aber noch nicht bei Intel aufgelistet [4]. Auf der Samsung-Webseite [5] taucht der Speicherchip bisher nicht auf, hier ist nur der Vorgänger K4T1G084QE ("E-Die") zu finden.

Samsung erläutert nicht genau, ab wann die Serienfertigung der 40-nm-Speicherchips anläuft und verrät auch die exakte Die [6]-Größe nicht; Qimonda packt demnächst mit 6F²-BWl-Technik und 46-nm-Fertigung 2 Gigabit auf 55 Quadratmillimeter, Micron schafft mit 6F²-Stack-Technik und 68-nm-Fertigung 1 GBit auf 56 Quadratmillimeter [7]. Kürzlich hat Samsung den kleinsten 4-GBit-Chip [8] der Welt angekündigt, der als DDR3-Baustein mit 50-nm-Technik gefertigt werden soll. In einem Vortrag auf der ISSCC [9] nennt Samsung zu diesem Chip weitere Details: Demnach handelt es sich um ein 56-nm-Produktionsverfahren, die Die-Fläche soll 173,82 Quadratmillimeter betragen. Interessanter Vergleich am Rande: Auf der ISSCC besprechen die Flash-Kooperationspartner Intel und Micron den bereits 2008 angekündigten [10] MLC-NAND-Flash-Chip aus der 34-nm-Fertigung mit nahezu gleicher Fläche von 172 Quadratmillimetern, der mit 32 GBit die achtfache Kapazität des Samsung-SDRAMs erreicht. Ein aktueller 45-nm-Doppelkernprozessor von Intel ist mit 107 Quadratmillimetern [11] deutlich kleiner.

Im Laufe des Jahres will Samsung auch einen 2-GBit-Chip mit DDR3-Schnittstelle in 40-nm-Technik fertigen; diese Ankündigung ist allerdings wenig überraschend, sondern eigentlich zu erwarten. Interessanter ist da schon, dass Samsung auch erwähnt, dass die 40-nm-Technik eine Rolle bei den ersten DDR4-SDRAMs [12] spielen wird. (ciw [13])

URL dieses Artikels:
https://www.heise.de/-205393

Links in diesem Artikel:
[1] http://www.heise.de/glossar/entry/Synchronous-Dynamic-RAM-398557.html
[2] https://www.heise.de/news/Qimonda-stoppt-Chip-Produktion-auf-300-mm-Wafern-in-den-USA-205008.html
[3] http://www.intel.com/technology/memory/ddr/valid/DDR2_800_DRAM.pdf
[4] http://www.intel.com/technology/memory/ddr/valid/ddr2_800_sodimm_results.htm
[5] http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/productList.do?fmly_id=108
[6] http://www.heise.de/glossar/entry/Die-398061.html
[7] https://www.heise.de/news/1-Milliarde-Transistoren-auf-56-Quadratmillimetern-170199.html
[8] https://www.heise.de/news/Samsung-kuendigt-4-Gigabit-DDR3-Speicherchips-an-203492.html
[9] http://www.isscc.org/
[10] https://www.heise.de/news/IM-Flash-32-GBit-Speicherchip-mit-34-nm-Strukturen-211055.html
[11] https://www.heise.de/news/IDF-Intels-Atomzeitalter-194776.html
[12] https://www.heise.de/news/IDF-Nach-DDR3-kommt-DDR4-Hauptspeicher-197943.html
[13] mailto:ciw@ct.de

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