Rambus im Doppelpack
Beim P4T533 mit dem kommenden Intel-Chipsatz Tehama-E sieht Asus zwei Speichersteckplätze für 32-Bit-RIMMs vor.
Beim P4T533 mit dem kommenden Intel-Chipsatz Tehama-E sieht der Boadhersteller Asus zwei Speichersteckplätze für 32-Bit-RIMMs vor. Die speziellen 32-Bit-Module, im Bild sind Muster solcher RIMMs von Kingston zu sehen, integrieren zwei Rambus-Channels auf einem Modul. Solche Speicherriegel hatte auch Samsung schon im vergangenen Jahr angekündigt [1].
Der von Intel wahrscheinlich als i850E bezeichnete Chipsatz für die angekündigten [2] Pentium-4-Prozessoren mit FSB533-Schnittstelle besitzt zwei Rambus-Speicherkanäle mit jeweils 16 Bit Breite. PC800-RIMMs laufen mit 400 MHz Taktfrequenz und nutzen ein DDR-Übertragungsverfahren, sodass sie pro Sekunde 1,6 GByte Daten liefern können.
Samsung hatte zwischenzeitlich auch Rambus-DRAMs für 533 MHz Taktfrequenz und mit Speicherkapazitäten bis zu 512 MBit (576 mit ECC) [3] angekündigt, die einen anderen internen Aufbau (4i-Bank) als die bisherigen RDRAMs haben sollen. Bisher ist allerdings unklar [4], ob Intel beim i850E eine Taktfrequenz von 533 MHz für die Speicherkanäle überhaupt offiziell vorsieht und ob der Chipsatz 4i-Bank-Chips unterstützt. Die abgebildeten Kingston-Module tragen jedenfalls die Bezeichnung "PC800", 533-MHz-RDRAM bezeichnet die Firma Rambus meist als "1066-MHz-RDRAM [5]". Die 32-Bit-PC800-RIMMs kommen auf eine theoretische maximale Datentransferrate von 3,2 GByte/s. Erst zwei 1066-MHz-RDRAM-Channels würden gemeinsam die Transferleistung des FSB533 kommender Pentium-4-CPUs bringen. (ciw [6])
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[1] https://www.heise.de/news/Samsung-entwickelt-neue-Rambus-Speichermodule-40300.html
[2] https://www.heise.de/news/Intels-Pentium-4-Celeron-soll-2002-mit-1-8-GHz-starten-52852.html
[3] https://www.heise.de/news/Samsung-stellt-576-MBit-RDRAM-vor-49925.html
[4] https://www.heise.de/news/Intels-Developer-Forum-in-San-Francisco-beginnt-57095.html
[5] http://www.rdram.com/documentation/quickfind_documents.html#rdram_ds
[6] mailto:ciw@ct.de
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