Patentstreit um gestrecktes Silizium spitzt sich zu
Das US-Unternehmen AmberWave hat Intel verklagt, weil der Chiphersteller patentrechtlich geschützte Techniken verwenden soll, mit denen sich Chips wesentlich schneller machen lassen.
Der Streit zwischen Intel [1] und dem MIT-Spinoff AmberWave Systems [2] über angebliche Patentrechtsverletzungen im Zusammenhang mit der Verwendung von gestrecktem Silizium (Strained Silicon) bei der Herstellung von Pentium-Prozessoren spitzt sich zu. In Texas reichte AmberWave nun Klage gegen den weltgrößten Chiphersteller ein, weil dieser das im April 2005 erteilte, aber bereits am 1. Juli 2003 beantragte US-Patent 6,881,632 [3] (Method of fabricating CMOS inverter and integrated circuits utilizing strained surface channel MOSFETS) verletzt haben soll.
Beim Strained-Silicon-Verfahren [4] wird das Silizium einer zusätzlichen SiGe-Schicht um etwa ein Prozent gestreckt, was zur Folge hat, dass die Beweglichkeit der Elektronen um bis zu 70 Prozent zunimmt und sich dadurch der erreichbare Takt um rund ein Drittel steigern lässt. Während AmberWave darauf besteht, das von Intel genutzte Verfahren basiere auf zwei patentierten Erfindungen des Unternehmens, gibt Intel an, die wesentlichen Grundlagen zu Strained Silicon würden auf schon älteren Arbeiten der Stanford-Professoren Judy Hoyt und James Gibbons beruhen.
Im Mai hatte Intel deshalb bei einem Gericht in Delaware beantragt, die Gültigkeit eines anderen von AmberWave gehaltenen Patents (Nr. 6,831,292 [5], Semiconductor structures employing strained material layers with defined impurity gradients and methods for fabricating same, beantragt am 20. September 2002, zugeteilt im Dezember 2004) im Rahmen eines Feststellungsverfahrens überprüfen zu lassen. AmberWave reagierte daraufhin mit einer Gegenklage. Intel-Sprecher Chuck Mulloy kündigte eine "energische Verteidigung" an, da die Forderungen AmberWaves "haltlos" seien. (pmz [6])
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[1] http://www.intel.com
[2] http://www.amberwave.com/
[3] http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO1&Sect2=HITOFF&d=PALL&p=1&u=/netahtml/srchnum.htm&r=1&f=G&l=50&s1=6,881,632.WKU.&OS=PN/6,881,632&RS=PN/6,881,632
[4] https://www.heise.de/news/Intels-90-nm-Prozess-mit-gestresstem-Silizium-68699.html
[5] http://patft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO1&Sect2=HITOFF&d=PALL&p=1&u=/netahtml/srchnum.htm&r=1&f=G&l=50&s1=6,831,292.WKU.&OS=PN/6,831,292&RS=PN/6,831,292
[6] mailto:pmz@ct.de
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