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Mit einer optimierten Speicherzell-Architektur und 40-Nanometer-Fertigungstechnik will Samsung 32-Gigabit-Speicherchips herstellen.

Neuartige Charge-Trap-Flash-(CTF-)Speicherzellen und die kommende 40-Nanometer-Fertigungstechnik sollen NAND-Flash [1]-Chips mit einer Speicherkapazität von 32 GBit, also 4 GByte, ermöglichen. Der NAND-Flash-Chip-Marktführer [2] Samsung will daraus künftig beispielsweise Speicherkarten mit bis zu 64 GByte Kapazität bauen, Solid-State-Disks (SSD [3]) könnten noch mehr Daten fassen. Über den Erscheinungstermin der neuen Bauteile schweigt sich Samsung leider noch aus; nach den bisherigen Erfahrungen mit Samsung-Ankündigungen ist aber sicherlich noch mit zwei Jahren Wartezeit zu rechnen: Gerade erst [4] ist die Großserienfertigung von NAND-Flash-Chips mit den vor zwei Jahren angekündigten [5] 60-nm-Strukturen angelaufen.

Den Charge-Trap-Flash-Zellen fehlt das bei Flash sonst übliche "Floating Gate", die Ladungsspeicherung erfolgt stattdessen in einer so genannten Ladungsfalle, die in der isolierenden Siliziumnitrid-(SiN-)Ebene des Chips liegt. Die CTF-Zellen sollen nicht nur robuster sein als die bisher von Samsung verwendeten, sondern auch besser mit der Strukturverkleinerung skalieren: Samsung geht davon aus, dass sie sich später auch in 30- und 20-Nanometer-Technik herstellen lassen. Eine Flashspeicherzelle mit Siliziumnitrid-Ladungsfalle und FinFET-Transistor hatte beispielsweise auch Infineon vor rund zwei Jahren vorgestellt [6].

Neu ist auch der Lagen-Aufbau der CTF-Zellen; Samsung setzt auf die so genannte TANOS-Struktur (Tantalnitrid/TaN-Siliziumoxid/O-Silizium/S), statt auf ONO (Oxide-Nitride-Oxide, genauer: Siliziumnitrid-Siliziumoxid-Siliziumnitrid) beziehungsweise SONOS ((Poly-)Silizium-Siliziumnitrid-Siliziumoxid-Siliziumnitrid-Silizium). (ciw [7])

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https://www.heise.de/-161044

Links in diesem Artikel:
[1] http://www.heise.de/glossar/entry/Flash-Speicher-397321.html
[2] https://www.heise.de/news/Markt-fuer-NAND-Flash-zeigt-Wachstumsdelle-153522.html
[3] https://www.heise.de/news/Solid-State-Disks-speichern-32-GByte-111594.html
[4] https://www.heise.de/news/Flash-Speicherchip-mit-2-GByte-und-integrierter-MMC-Schnittstelle-158880.html
[5] https://www.heise.de/news/Samsung-Flash-Speicherchips-mit-8-GBit-und-2-GBit-DRAMs-105429.html
[6] https://www.heise.de/news/FinFET-Transistoren-koennten-Flash-Speicherchips-zu-4-GByte-Kapazitaet-verhelfen-122128.html
[7] mailto:ciw@ct.de

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