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Auf BiCMOS-Wafer kann Motorola jetzt auch Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Strukturen (SiGe:C) einbauen.

Motorola hat einen neuen Prozessschritt in die Fertigungsanlagen für Hochfrequenz-Halbleiter integriert: Auf BiCMOS-Wafern lassen sich jetzt auch Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Strukturen (SiGe:C) einbauen. Die Nutzung von Kohlenstoff bietet Vorteile bei der Herstellung und der Rauscharmut der in diesem 0,35-µm-Prozess hergestellten Heterojunction-Bipolar-Transistoren (HBT) für Frequenzen oberhalb 45 GHz. Ein erstes Produkt mit einem solchen HBT soll bereits im Mai in Form eines rauscharmen Verstärkers (LNA) auf den Markt kommen.

Das SiGe:C-Verfahren wurde in Zusammenarbeit mit dem IHP in Frankfurt an der Oder [1] entwickelt. Die dort geplante [2] Halbleiterfabrik Communicant [3] soll SiGe:C-BiCMOS-Halbleiter in einem 0,18-µm-Prozess herstellen. (ciw [4])

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https://www.heise.de/-38196

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[1] http://www.ihp-microelectronics.com/
[2] https://www.heise.de/news/Intel-beteiligt-sich-an-Bau-von-Brandenburger-Chip-Fabrik-34964.html
[3] http://www.communicant.de/
[4] mailto:ciw@ct.de

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