zurück zum Artikel

Nach eigenen Angaben macht der US-Speicherchipspezialist Micron sein Versprechen vom Sommer wahr und liefert seit gestern 256-MByte-NAND-Flash-Bausteine aus.

Nach eigenen Angaben macht der US-Speicherchipspezialist Micron sein Versprechen [1] vom Sommer wahr und liefert seit gestern 256-MByte-NAND-Flash-Bausteine aus. Damit hat das Unternehmen den Zeitplan zum Start der Serienproduktion "Ende 2004" sehr knapp eingehalten. Für ein öffentliches Datenblatt reichte die Zeit allerdings offenbar noch nicht -- zurzeit ist nur eine Kurzversion (80-KByte-PDF-Datei [2]) auf dem Micron-Server zu finden.

NAND-Flash-Marktführer Samsung produziert unterdessen seine 90-Nanometer-Chips mit 2 GBit Kapazität [3] nach eigenen Angaben schon seit Monaten in Millionenstückzahlen [4] und bietet auch schon Muster mit reduzierter Versorgungsspannung von 1,8 Volt an. Außerdem haben die Koreaner auch Dual-Die-Bausteine mit 4 GBit [5] und 8 GBit [6] im Angebot. Toshiba, Fertigungspartner [7] von SanDisk, führt seinen 2-GBit-Flash-Chip auf der Webseite [8] noch als "in Entwicklung befindlich".

Als weiterer Konkurrent entwickelt die europäische STmicroelectronics NAND-Flash-Chips mit hoher Kapazität, bisher sind dort [9] aber maximal 1-GBit-Chips zu bekommen. ST hatte im April 2003 seinen Einstieg in das NAND-Flash-Geschäft angekündigt, also etwa ein Jahr vor Micron und zwei Jahre nach Infineon [10].

Spansion, die gemeinsam mit Fujitsu betriebene und recht profitable Flash-Sparte von AMD, will in etwa zwei Jahren [11] sogar mit NOR-Flash-Chips auf 8 GBit Kapazität kommen und so mit NAND gleichziehen [12]. Bei Infineon, wo zurzeit ebenfalls maximal 1-GBit-Chips [13] zu haben sind, tüftelt man an einer Technik für zukünftige 32-GBit-Chips [14]. (ciw [15])

URL dieses Artikels:
https://www.heise.de/-123021

Links in diesem Artikel:
[1] https://www.heise.de/news/Micron-kuendigt-Flash-Speicherchips-mit-256-MByte-Kapazitaet-an-104391.html
[2] http://download.micron.com/pdf/datasheets/flash/nand/2gb_nand_salesbrief_m29a.pdf
[3] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/common/product_list.aspx?family_cd=FME0110
[4] https://www.heise.de/news/Samsung-Flash-Speicherchips-mit-8-GBit-und-2-GBit-DRAMs-105429.html
[5] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/common/product_list.aspx?family_cd=FME0110
[6] http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/common/product_list.aspx?family_cd=FME0110
[7] https://www.heise.de/news/Toshiba-und-SanDisk-entwickeln-4-Gigabit-Flash-auf-einem-Die-80379.html
[8] http://www.semicon.toshiba.co.jp/openb2b/websearch/productDetails.jsp?partKey=TC58NVG1S3BFT00**
[9] http://www.st.com/stonline/products/families/memories/fl_nand/index.htm
[10] https://www.heise.de/news/Neue-Flash-Speicherchips-von-AMD-und-Infineon-41523.html
[11] https://www.heise.de/news/Electronica-Flash-Speicher-mit-vier-Bit-pro-Transistor-114954.html
[12] https://www.heise.de/news/Samsung-Flash-Speicherchips-mit-8-GBit-und-2-GBit-DRAMs-105429.html
[13] http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_cat.jsp?oid=-12081
[14] https://www.heise.de/news/FinFET-Transistoren-koennten-Flash-Speicherchips-zu-4-GByte-Kapazitaet-verhelfen-122128.html
[15] mailto:ciw@ct.de

Copyright © 2004 Heise Medien