Kleinster 512-MBit-Speicherchip von Elpida
Dank Herstellung im 0,13-”m-Prozess ist der Speicherchip des DRAM-Joint-Venture von NEC und Hitachi der zurzeit kleinste Speicherbaustein dieser KapazitÀt.
Dank der Herstellung in einem 0,13-”m-Prozess ist der neue 512-MBit-Speicherchip von Elpida [1], dem DRAM-Joint-Venture von NEC und Hitachi [2], der nach Firmenangaben zurzeit kleinste Speicherbaustein dieser KapazitÀt.
Der japanische Hersteller will sowohl Double- als auch Single-Data-Rate-Bausteine dieser KapazitĂ€t ab April in Serie fertigen. Ab sofort sind Mustermengen lieferbar. Die DDR-SDRAM-Variante [3] soll in den AusfĂŒhrungen EDD5104ABTA-6B (128Mx4, DDR333, CL 2,5, tRCD=3, tRP=3), EDD5108ABTA-75 (64Mx8, DDR266, CL 2, tRCD=2, tRP=2) und EDD5108ABTA-7A (64Mx8, DDR266, CL 2, tRCD=3, tRP=3) auf den Markt kommen.
Auch andere Chipfirmen arbeiten an 512-MBit-Chips, darunter Hynix [4], Micron [5] und Samsung Semiconductor [6]. SDRAMs noch gröĂerer KapazitĂ€t sind zurzeit Zukunftsmusik, wenn auch 1999 bereits 1-GBit [7]- und Anfang 2001 4-GBit-Prototypen [8] vorgestellt wurden. (ciw [9])
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[2] https://www.heise.de/news/NEC-und-Hitachi-legen-Chip-Geschaeft-zusammen-Update-30479.html
[3] http://www.elpida.com/en/products/ddr.html
[4] http://www.hynix.com/datasheet/eng/dram/dram_sub.jsp?RK=03&MS=511&ME=512&RAM_NAME=DDR%20SDRAM&SUB_RAM=512M
[5] http://www.micron.com/products/datasheet.jsp?path=/DRAM/DDR+SDRAM&fileID=13
[6] http://samsungelectronics.com/semiconductors/search/datasheet.jsp?family=511
[7] https://www.heise.de/news/1-GBit-Agreement-von-Infineon-und-IBM-update-18017.html
[8] https://www.heise.de/news/ISSCC-Samsung-stellt-4-GBit-Speicherchip-vor-35487.html
[9] mailto:ciw@ct.de
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