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In ihren jeweiligen Halbleiter-Fabs im US-Bundesstaat New York fahren die Kooperationspartner die Fertigung von 32-Nanometer-Bauelementen hoch.

Gleichzeitig beginnen die Kooperationspartner IBM und Globalfoundries in ihren Chip-Fabs in East Fishkill (IBM) und Fab 8 bei Malta [1]/New York mit der Fertigung von Halbleiterbauelementen mit 32-Nanometer-Strukturen. Dabei kommt die gemeinsam [2] sowie mit den anderen IBM-Alliance-Partnern wie Samsung entwickelte Technik für Silicon-on-Insulator-(SOI-)Wafer mit HKMG [3] und Gate-First [4]-Verfahren zum Einsatz.

Wie Globalfoundries in einem Blog-Eintrag [5] präzisiert, soll die Massenfertigung dieser ersten Chips mit "32/28-nm-Technik" allerdings erst im zweiten Halbjahr 2012 anlaufen. In der Fab 1 in Dresden läuft dieser Fertigungsprozess schon seit dem vergangenen Jahr.

Am Standort East Fishkill [6] fertigt IBM eigene Produkte, aber auch Bauelemente für andere Auftraggeber. Der High-End-Serverprozessor Power7 [7] von IBM ist zurzeit noch in einer 45-nm-Version auf dem Markt, nach älteren Roadmaps [8] (PDF-Datei) wollte IBM den 32-nm-"Shrink" Power7+ Ende 2011/Anfang 2012 einführen. (ciw [9])

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https://www.heise.de/-1406548

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[1] http://google.de/maps?ll=42.9694%2C-73.755&z=14
[2] https://www.heise.de/news/IBM-Allianz-IMEC-Selete-und-TSMC-kuendigen-32-Nanometer-Chipfertigungstechnik-an-169671.html
[3] https://www.heise.de/news/IBM-High-k-Metal-Gate-koennen-wir-auch-139671.html
[4] https://www.heise.de/news/Verzoegerungen-bei-28-und-22-Nanometer-Halbleiterchips-1385599.html
[5] http://fab8update.com/
[6] https://www.heise.de/news/Spekulation-um-Verkauf-der-IBM-Halbleiterfertigung-998301.html
[7] https://www.heise.de/news/IBM-laesst-den-Power7-vom-Stapel-924596.html
[8] ftp://ftp.software.ibm.com/software/it/events/smartersystemstour2010/venezia/SmarterSystems_Tour.pdf
[9] mailto:ciw@ct.de

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