Chiphersteller testen EUV-Lithografie
Ein US-Konsortium aus Industrie und Wissenschaft hat jetzt eine Test-Anlage für 0,07-µm-Prozesse in der Chipfertigung in Betrieb genommen.
Ein US-Konsortium aus Industrie und Wissenschaft hat jetzt eine Test-Anlage für 0,07-µm-Prozesse in der Chipfertigung in Betrieb genommen. Die Extreme Ultraviolet Limited Liabilty Company (EUV LLC [1]), an der sich neben dem Lawrence Livermoore National Laboratory und dem Sandia National Laboratory beispielsweise auch Intel, AMD und Motorola beteiligen [2], will bis 2003 eine Prototyp-Produktionsanlage für die Lithografie mit extremem Ultraviolett-Licht (10 bis 40 Nanometer Wellenlänge) bauen.
Da die Wellenlänge der Lithografie-Quelle letztendlich die kleinstmögliche Fertigungsstruktur bestimmt, arbeitet die Halbleiterindustrie fieberhaft an lithografischen Verfahren mit möglichst kurzwelligen Strahlungsquellen. Mit der unter anderem vom Bundesforschungsministerium geförderten Entwicklung von 157-Nanometer-Lithografie lassen sich beispielsweise Strukturen bis zu 100 Nanometern fertigen.
Für die Produktion noch kleinerer Strukturen kommt im Prinzip nur noch Elektonenstrahl-Lithografie oder weiche Röntgenstrahlung in Frage. Strahlung dieser Wellenlängen lässt sich nicht mehr mit Linsen, sondern nur mit ausgefeilten Spiegeloptiken auf dem Wafer fokussieren. Die EUV-Reflektoren müssen extrem präzise gefertigt werden und haben eine sehr viel geringere Reflektionsfähigkeit als die aus dem Alltag bekannten optischen Spiegel. Da ein EUV-Belichtungssystem aus mehreren solcher Spiegel besteht, ist der Gesamtwirkungsgrad gering, was sehr lange Belichtungszeiten mit einem entsprechend geringen Wafer-Durchsatz zur Folge hat. (wst [3])
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[1] http://www.eeel.nist.gov/omp/p39-2000.html
[2] https://www.heise.de/news/Chips-des-naechsten-Jahrhunderts-9880.html
[3] mailto:wst@technology-review.de
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